(Simbolo y Estructura basica del DIAC)
Existen dos tipos de DIAC:
- DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
- DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la característica bidireccional.
Principio de operación y curva característica
La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un voltaje de ruptura equivalente al del transistor bipolar. Debido a la simetríade construcción de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura , presentando una región de impedancia negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.
Circuito Equivalente del DIAC
Características generales y aplicaciones
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del TRIAC, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable, calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.
La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuitorepresentado en la Figura 2, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC, produciéndose a través de él la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción. Este mecanismo se produce una vez en el semi ciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensión media aplicada a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.
Especificaciones.
Voltaje de ruptura VBO: 32 V típicos
Simetria del voltaje de ruptura |VBO1 - VBO2| max: 3 V
Corriente de ruptura IBO max: 100 μA
Corriente pico repetitivo en conducción max. (20 μs, 100 Hz): 2 A
Potencia disipada max: 150 mW
Encapsulado: DO-35G
Aspecto
chevere
ResponderBorrarMUY CIERTO
ResponderBorrarThanks Sir very nice answer
ResponderBorrarSir how to betdr other devices otherwise disc not available and how to check or use ac and DC CV corent sir thanks please reply me.
ResponderBorrarSir how to mining matrbord symbol DB3 and blue color registrar type small size component please help me. This is not a available how to anyone other use sir thanks.
ResponderBorrar